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空槽模块 1756-N2
空槽模块 1756-N2
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《厦门仲鑫达自动化设备有限公司》
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“基于SiC-MOSFET自然散热设计的一体化伺服电机系统”的控制板、驱动板、功率板为迈信电气自主研发设计。
CoolSiC™ MOSFET的应用优势
1、较低的导通损耗
SiC MOSFET的通态压降由其沟道的RDS(on)决定，而IGBT的通态压降由PN结和漂移区电阻构成。在电机驱动类应用中，通常负载电流区间小于器件的标称电流值，因此SiC MOSFET的导通损耗优于同等规格的IGBT器件。
2、较低的开关损耗
SiC MOSFET开通关断速度均快于IGBT，且没有拖尾电流。常温下，SiC MOSFET的开通损耗约是同等规格IGBT的50%，关断损耗约是20%。值得注意的是，高温下SiC MOSFET开关损耗受结温的影响不大，而IGBT的开关损耗可能增加一倍以上。
3、优异的开关速度可控性
CoolSiC™ MOSFET测试中表现出了优异的可控性，仅通过Rg阻值大小即可调节其开关速度，进而优化Eon，Eoff，dv/dt等指标。
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原文链接：http://www.jingke.org/chanpin/show-17923.html，转载和复制请保留此链接。
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